射频前端模组化加速，进一步推高前端市场目前阶段，不同的射频前端架构需要不同模组，根据模组集成度的高低可以将其分为低端模组，中端模组和高端模组。而射频前端模组的终极解决方案将用一组器件来覆盖所有目标频带和所有目标蜂窝网络模式。比如：PA需要同时支持多个通信模式和多个频段。因此，支持单模多频的PA构成SMMB PA 模组，支持多模多频的PA构成MMMB PA 模组。MMMB PA和天线，滤波器，双工进一步集成，构成了高度集成的PAMiD模组。PAMiD从2015年开始商业化，是目前最有价值的前端模组。目前市场上很多高端机型都在使用。PAMiD集成了PA 天线开关，双工器。带通滤波器。为了保证载波聚合中的干扰隔离，PAMiD根据频率被分为高频组，中频组和低频组。对于滤波器来说，目前有些频段仍然较难集成，比如超低频滤波器，较容易受到干扰，但现在已经在各大芯片厂家开始研发。

　　集成度模组集成的器件低集成度ASM集成开关和天线低集成度FEM集成开关和滤波器中集成度Div FEM集成FEM的分集模组中集成度FEMiD集成ASM和双工中集成度PAiD集成PA 和双工中集成度SMMB PA 支持单模式多频带的PA模组中集成度MMMB PA支持多模式多频带的PA模组中集成度TX Module集成PA和开关的发射模组高集成度PA MiD集成MMMB PA 和FEMiD

　　由于目标市场的不同，射频前端模组供应商通常采取差异化的竞争策略，即在分立和模组中寻找平衡点。典型射频前端解决方案的各种构架下有不同的侧重点华体会体育hth首页。一般来说，专注于入门级，本地化或定制机的OEM厂商会更多地使用分立射频器件，即便如此，其模组化程度也越来越高。比如对于区域机型，OEM厂商通常采用集成的PA ，LNA ， 开关等。仅滤波器和双工器是分立器件。也正是由于射频前端集成的灵活，Skyworks，Qrovo和高通等射频前端供应商提供了各种集成度级别的器件和模组，对纯分立器件厂商造成较大竞争压力。在越来越多机型支持全球通的趋势下，高度模组化的射频前端愈加具有市场竞争力。比如Qrovo的RF Fusion是高度模组化射频前端的典型，其通过低，中，高三个模块支持主要LTE频段.RF Fusion 的每个模块包括PA，开关。滤波器等器件，相比分立器件方案可节省35%左右的PCB面积。另 RF Fusion 通过在各路经集成组件提高能，从而无需板载匹配，减少损耗高达0.5dB，并可以降低电流消耗和热负载。还有该构架有助于射频隔离，比如将支持它定频带组合的多路复用器并入每个模块，以减小CA聚合频段之间的影响。具有更高射频前端价值的中高端机型渗透提升，进一步推高射频前端市场高端机型模组化程度越高，其射频前端具有更高价值含量。随着智能机支持的频带数量急剧增长，并且不同地区对通信模式和频段要求不同，为满足全球不同地区的不同需求，多机型成为终端厂商的产品策略。旗舰机倾向于支持全球频段，因此拥有高度模组化的射频前端，而中端机为了优化成本成本通常采用区域机型，相比同时代旗舰机具有较低的模组化程度。价值方面，射频前端的价值和其模块化程度成正比。从器件级到封装级，LCP封装有望实现最高程度的模组化从5G时代射频前端器件和天线数量都将急剧增加，射频前端模组化程度急需进一步提高。电路系统的模组化有器件级，封装级和板级三个层次。对于射频前端，器件级是模组化的初级阶段，而封装级则是更高模组化的必须。根据预测，前端模组化趋势下多个器件可能采用SOI工艺，而滤波器和天线等器件无法使用该工艺。因此，即便未来所有可能采用SOI工艺的器件能集成在一起，也无法实现最高程度的模块化。为进一步提高射频前端模组化程度，必须采用更先进的封装技术。埋置封装是实现高密度互联的封装技术，通过在封装体内埋置电容，电感等无源器件，MEMS,PMIC等有源器件，甚至射频前端等，可实现更高集成度。LCP可实现射频前端埋置封装，有望实现最高程度的模组化。LTCC是一种早期的埋层技术，通过在封装体的多层空间埋置无源器件可节省空间，但由于其工艺温度高达850度，因此无法直接封装裸片。LCP封装有两种不同的熔点的LCP材料构成，高熔点温度LCP用作核心层，低熔点温度LCP用作粘合层，多层之间埋置无源和有源器件，并以金属通孔互联构成多层电路。随着射频前端模组化程度的不断提高，LCP封装有望成为5G时代实现整个射频前端模组化的终极方案。